氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法

摘要

本发明氮化硅-二氧化硅-氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法使用氮化硅-二氧化硅-氮化硅作为浅沟道隔离刻蚀的阻挡层，让STI干刻停止在最上层氮化硅，然后通过回刻去除第二氮化硅层，利用CMP去除中间的二氧化硅层，最后再用热磷酸剥离底层的第一氮化硅层。极大的简化了工艺控制流程，显著减少了影响STI模块关键工艺参数的工艺步骤数量，从而优化模块的控制。

主权项

一种氮化硅‑二氧化硅‑氮化硅阻挡层的浅沟槽隔离刻蚀方法，其特征在于，包括：    步骤a：在衬底上生长衬垫氧化膜；    步骤b：在衬垫氧化膜上依次淀积一第一氮化硅层、一二氧化硅层和一第二氮化硅层，所述第一氮化硅层、所述二氧化硅层和所述第二氮化硅层统称为阻挡层；    步骤c：进行干法刻蚀，打开阻挡层和衬垫氧化膜，并刻蚀衬底形成浅沟槽；    步骤d：进行第二氮化硅层的回刻，将第二氮化硅层去除，且在回刻的过程中同时增大阻挡层及衬垫氧化膜的开口；    步骤e：在浅沟槽内生长氧化硅衬垫，使氧化硅衬垫覆盖浅沟槽的内表面；    步骤f：淀积氧化硅填充，使氧化硅填充填满浅沟槽并覆盖在二氧化硅层上；    步骤g：进行化学机械研磨，在化学机械研磨的过程中去除部分所述氧化硅填充及所述二氧化硅层，化学机械研磨止于所述第一氮化硅层；     步骤h：通过热磷酸剥离残留的第一氮化硅层。