| 发明名称 | 用于薄半导体的平板化背侧处理 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体制造方法，其包括将第一裸片附接到衬底面板。所述方法还包括在将所述第一裸片附接到所述衬底面板之后将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底面板。所述方法进一步包括在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化。在薄化之前将所述裸片附接到所述衬底面板免除在处理薄半导体时使用载体晶片。 | ||
| 申请公布号 | CN102422415A | 申请公布日期 | 2012.04.18 |
| 申请号 | CN201080020194.1 | 申请日期 | 2010.05.07 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 阿尔温德·钱德拉舍卡朗 |
| 分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种半导体制造方法，所述方法包含：将第一裸片附接到衬底面板；在将所述第一裸片附接到所述衬底面板之后，将模制化合物涂覆到所述第一裸片及所述衬底面板；及在涂覆所述模制化合物之后使所述第一裸片及所述模制化合物薄化。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||