| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif à au moins un transistor sur un substrat (1) en un premier matériau semiconducteur, chaque transistor (20, 20') comportant une électrode de grille (5), dite grille, deux électrodes conductrices (3, 4), un îlot (2) en second matériau semiconducteur, incrusté dans le substrat (1), définissant une région apte à former un canal, dite région de canal, et une couche isolante (6) séparant la grille (5) des deux électrodes (3, 4) et de la région de canal, caractérisé en ce que la région de canal est à l'intérieur de l'îlot (2) et est en contact électrique direct avec au moins une des deux électrodes conductrices (3, 4).</p> |
