发明名称 半导体装置,其制造方法,以及薄膜制造方法
摘要 本发明提供一种半导体装置、用于该半导体装置之制造方法、以及薄膜制造方法。该半导体装置包含:第一基板(半导体晶片20);异向性导电膜(22),其系设于该第一基板上且有布线图形(24),该布线图形(24)至少有部份提供通过该异向性导电膜(22)的导电性(conduction);以及,第二基板(半导体晶片),其系设于该异向性导电膜上且经由提供通过该异向性导电膜(22)的导电性之该部份而与该第一基板耦合。根据本发明,可提供一种半导体装置、用于该半导体装置之制造方法、以及薄膜制造方法,其系能降低电气耦合上、下基板中之不同位置的生产成本。
申请公布号 TWI362099 申请公布日期 2012.04.11
申请号 TW095135938 申请日期 2006.09.28
申请人 史班逊有限公司 美国 发明人 河西纯一;目黑弘一;小野寺正德
分类号 H01L23/532 主分类号 H01L23/532
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址 美国
您可能感兴趣的专利