半导体元件及其制造方法

摘要

本发明系揭示一半导体元件及其制造方法。该半导体元件，由于一邻近储存节点之电压，而能防止一凹陷式闸极之临界电压减少。该半导体元件系包括一半导体基板，该基板具有一包含一闸极区和一储存节点接触区之主动区，并且在闸极区呈现凹陷；一元件隔绝结构，在该半导体基板形成以界定该主动区，并且具有一屏蔽层；一凹陷式闸极，系于该半导体基板之闸极区形成；及一储存节点，形成而与该主动区之储存节点接触区相互连接。