发明名称 |
一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构 |
摘要 |
本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构,器包括半导体基板;所述半导体基板上设置有源区,所述有源区内设置对称分布的场氧区,所述场氧区通过对应的有源区隔离;所述有源区内设有栅极端,场氧区对称分布于栅极端两侧;所述栅极端包括中间部及对称分布于所述中间部上的大头端部,所述大头端部的宽度大于中间部的端部;有源区上对应于中间部的两侧设置源端及漏端。本发明在总剂量条件下,对能有效抑制边缘寄生管导通;不但可以节省面积,同时不受NMOS管宽长比的影响,易于实现宽长较小的NMOS管,同时在版图设计和布局布线上具有更大的灵活性;结构紧凑,节省面积,适用性广,提高抗总剂量辐射效应的效果。 |
申请公布号 |
CN102412303A |
申请公布日期 |
2012.04.11 |
申请号 |
CN201110343583.4 |
申请日期 |
2011.11.03 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
发明人 |
罗静;王栋;邹文英;薛忠杰;周昕杰;胡永强 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
殷红梅 |
主权项 |
一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构,包括半导体基板,所述半导体基板上设置有源区(2);其特征是:所述有源区(2)内设置对称分布的场氧区(17),所述场氧区(17)通过对应的有源区(2)隔离;所述有源区(2)内设有栅极端(1),场氧区(17)对称分布于栅极端(1)两侧;所述栅极端(1)包括中间部(19)及对称分布于所述中间部(19)上的大头端部(15),所述大头端部(15)的宽度大于中间部(19)的端部;有源区(2)上对应于中间部(19)的两侧设置源端(3)及漏端(4)。 |
地址 |
214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 |