发明名称 V型槽引线框架
摘要 本实用新型公开了一种带V型槽引线框架,其特征在于:每一粒芯片焊接盘引脚上,加工出一根V型的沟槽,这根V型的沟槽被包容在塑封体内。本实用新型解决了产品内部分层问题。
申请公布号 CN202189781U 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201120324850.9 申请日期 2011.08.31
申请人 成都先进功率半导体股份有限公司 发明人 罗天秀;樊增勇
分类号 H01L23/495(2006.01)I 主分类号 H01L23/495(2006.01)I
代理机构 四川力久律师事务所 51221 代理人 王芸;林辉轮
主权项 一种V型槽引线框架,其特征在于:在引线框架上,每粒半导体芯片焊接盘引脚上都设置有V型的沟槽。
地址 611731 四川省成都市高新区西部园区科新路8号成都出口加工区(西区)