发明名称 圆齿野鸦椿叶片高频再生体系建立及快速繁殖方法
摘要 本发明提供一种圆齿野鸦椿叶片高频再生体系建立及快速繁殖方法,属于圆齿野鸦椿胚的栽培技术,解决现有技术中圆齿野鸦椿胚种子发芽率低,不能大量的提供优良纯化的组培苗的问题,本发明其选取茎段繁殖或种子繁殖进行继代转接时去除的部分幼嫩叶片为材料,经过诱导培养,15~20天即可萌发出生长健壮的新芽;再经过20~30天的增殖培养,20~25天诱导生根后即可成苗、移栽,成活率高达95%以上;扩繁系数高,苗木成活后生长健壮,长势良好。
申请公布号 CN101595846B 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN200910304603.X 申请日期 2009.07.21
申请人 福建农林大学 发明人 何碧珠;邹双全;李玉平
分类号 A01H4/00(2006.01)I;A01G31/00(2006.01)I 主分类号 A01H4/00(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种圆齿野鸦椿叶片高频再生体系的建立及快速繁殖方法,其特征在于:所述方法的具体步骤包括:1)取材方法:选取圆齿野鸦椿幼嫩叶片为外植体进行接种; 2)培养基的配制:在基本培养基为WPM中分别添加生长激素:ZE、NAA或IBA中的几种,分别配制成芽诱导培养基、丛芽诱导培养基、芽增殖培养基和生根培养基,所述这些培养基中还加入Su为20g/L,Ag+为7.5g/L,PH值为5.8,附加物为活性炭Ac;所述这些培养基的厚度为1.4~1.6cm; 3) 材料处理:在茎段繁殖或种子繁殖进行继代转接时去除的部分幼嫩叶片直接作为外植体进行接种; 4) 诱导培养:选择叶片,将叶片切成1.5cm×1.5cm大小,接种在所述的芽诱导培养基中;100~150g的芽诱导培养基接种3个胚;所述诱导培养的培养条件:培养室温度为25±2℃,光照时间12h/d,光照强度1500~2000 Lx;诱导培养的时间15~20天;5) 丛芽诱导培养:将经过步骤4)诱导培养的生长健壮的诱导芽切成0.5cm长的小块,接种在所述丛芽诱导培养基中;100~150g的丛芽诱导培养基接种3个胚;所述诱导培养的培养条件:培养室温度为25±2℃,光照时间12h/d,光照强度1500~2000 Lx;丛芽诱导培养的时间 15~20天;6) 增殖培养:将经过步骤5)丛芽诱导培养生长良好的丛芽切割开,接种在芽增殖培养基中;100~150g的增殖培养基接种3个胚;所述增殖培养的培养条件:培养室温度为25±2℃,光照时间12h/d,光照强度1500~2000 Lx;增殖培养的时间 20~30天;7) 诱导生根培养:当丛生芽长至2cm高时,将芽分割成单株,转移到所述生根培养基中;100~150g的生根培养基接种3个胚;所述生根培养的培养条件:培养室温度为25±2℃,光照时间12h/d,光照强度1500~2000 Lx;生根培养的时间 20~25天;8) 小苗移栽:当试管苗长至3~4cm高,有3~5条根, 5~7片叶片,长度2~3cm时,完成圆齿野鸦椿叶片高频再生体系的建立及快速繁殖试管苗培养;所述步骤2)培养基配制中:所述芽诱导培养基为:基本培养基WPM中再加入:ZE 1.0mg/L;NAA  1.0mg/L;Ag + 7.5g/L; Su  20g/L和Ac  2~2.5 g/L;所述丛芽诱导培养基为:基本培养基WPM中再加入:ZE  1.0mg/L;NAA 0.5mg/L;Ag + 7.5g/L;Su  20g/L和Ac  2~2.5 g/L;所述芽增殖培养基为:基本培养基WPM中再加入: ZE 2.0mg/L;NAA 0.3mg/L;Ag +  7.5g/L;Su  20g/L和Ac  2~2.5 g/L;所述生根培养基为:基本培养基1/2WPM中再加入: NAA  0.1mg/L; IBA 0.5mg/L; Ag + 7.5g/L;Su  20g/L和Ac  2~2.5 g/L;所述基本培养基1/2 WPM是指:WPM中大量元素减半,其余不变。
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