| 发明名称 | 一种预防在热处理时硅消耗的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种预防在热处理时硅消耗的方法，其包括：在硅片基体上淀积一层具有一定厚度的富含硅的薄膜；采用次常压化学汽相沉积的方法在富含硅的薄膜上淀积SiO2薄膜；进行热处理，使SiO2薄膜致密化。所述富含硅的薄膜是富硅二氧化硅层。本发明可以消除在对由次常压化学汽相沉积方法制备的SiO2进行热处理时的硅基体的损耗。 | ||
| 申请公布号 | CN102412118A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110123699.7 | 申请日期 | 2011.05.13 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种预防在热处理时硅消耗的方法，其特征在于，包括：在硅片基体上淀积一层具有一定厚度的富含硅的薄膜；采用沉积的方法在富含硅的薄膜上淀积SiO2薄膜；进行热处理，使SiO2薄膜致密化。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||