一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜，然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体有序化阵列结构，最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物有序微/纳米结构阵列。该方法所制备的聚合物微/纳米结构阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。

主权项

一种导电聚合物有序微/纳米结构阵列的制备方法，首先通过LB膜方法获得导电聚合物单体有序薄膜，然后通过刻蚀方法在单体薄膜上得到聚合物单体微/纳米结构有序化阵列，最后采用化学原位聚合的方法获得导电聚合物微/纳米结构有序化阵列，其特征在于，具体包括以下步骤：①将聚合物单体溶于溶剂中，形成聚合物单体单分子溶液，所述导电聚合物单体为十二烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩或十八烷基‑3,4‑乙烯基二氧噻吩；②将聚合物单体单分子溶液滴加于LB膜槽中的超纯水溶液表面，并形成单体单分子膜；③控制LB拉膜机滑障压缩单体单分子膜到成膜膜压，采用垂直成膜的方式将单体膜转移至基片上；④将沉积于基片上的单体膜采用刻蚀方法获得单体微/纳米结构阵列；⑤将获得的单体微/纳米结构阵列暴露于氧化性气体中引发聚合，得到导电聚合物微/纳米结构阵列。