发明名称 嵌入式射频电阻模型及建模方法
摘要 本发明公开了一种嵌入式射频电阻模型,除包含有射频电阻等效电路外,还嵌入了辅助电感、辅助电阻和辅助电容,分别表征连接核心电阻和顶层金属的第一层金属的分布式电感、电阻和电容。本发明还公开了上述模型的嵌入式建模方法,该方法首先在射频电阻等效电路两端口各串联一个辅助电感、辅助电阻和辅助电容,分别表征第一层金属的分布式电感、电阻和电容;然后用上述辅助元件对射频电阻进行参数拟合;最后,在射频电阻模型电路中去掉上述辅助元件,以消除难以去掉的第一层金属寄生参数的影响。该模型及建模方法通过在常规射频电阻模型外部嵌入与器件物理结构相对应的辅助拟合元件,进行器件参数提取,有效消除了射频电阻外部寄生参数的影响,从而提高了模型的拟合精度。
申请公布号 CN102411653A 申请公布日期 2012.04.11
申请号 CN201110238540.X 申请日期 2011.08.19
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 蔡描;周天舒;王生荣
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 刘昌荣
主权项 一种嵌入式射频电阻模型,包含有射频电阻等效电路,其特征在于,还嵌入了辅助电感、辅助电阻和辅助电容,该辅助电感、辅助电阻和辅助电容与射频电阻等效电路串联,分别表征第一层金属的分布式电感、分布式电阻和分布式电容。
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号