| 发明名称 | 贴合晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种贴合晶片的制造方法，在操作基板的热膨胀系数比施主基板大的情况下，也可以进行剥离，而不会在基板上产生裂纹。所述制造方法至少包括下述步骤：从施主基板(3)的表面向所述施主基板(3)注入离子，形成离子注入界面(5)；在所述施主基板(3)的已经注入了离子的表面上，贴合热膨胀系数比所述施主基板(3)大的操作基板(7)，制成贴合基板；对所述贴合基板进行热处理，制成接合体(1)；和当所述接合体(1)由冷却装置(20)冷却到室温以下的温度后，在所述离子注入界面上剥离所述接合体(1)的所述施主基板(3)，将施主膜转印到所述操作基板(7)上。 | ||
| 申请公布号 | CN102414785A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201080019226.6 | 申请日期 | 2010.04.30 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 川合信;飞坂优二;秋山昌次 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 武玉琴;陈桂香 |
| 主权项 | 一种贴合晶片的制造方法，其包括下述步骤：从施主基板的表面向所述施主基板注入离子，形成离子注入界面；在所述施主基板的进行了离子注入的所述表面上，贴合热膨胀系数比所述施主基板大的操作基板，制成贴合基板；对所述贴合基板进行热处理，制成接合体；和当所述接合体冷却到室温以下的温度后，在所述离子注入界面上剥离所述接合体的所述施主基板，将施主膜转印到所述操作基板上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||