| 发明名称 | 一种高速锗硅HBT器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高速锗硅HBT器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区两侧；其中，基区和外延介质层非对称的分布于所述集电区和浅沟槽隔离上方，所述基区与外延介质层相邻且部分基区位于所述外延介质层上方，所述基区与外延介质层两侧具有基区隔离侧墙；发射区和发射区介质层位于所述基区上方，所述发射区与发射区介质层相邻且部分发射区位于所述发射区介质层上方，所述发射区与发射区介质层两侧具有发射区隔离侧墙；所述基区、发射区和集电区分别通过接触孔引出连接金属连线。本发明的高速锗硅HBT器件结构及其制造方法能缩小器件面积，能减小基区-集电区的结电容，降低工艺制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102412286A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110342692.4 | 申请日期 | 2011.11.03 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 |
| 分类号 | H01L29/737(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/737(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种高速锗硅HBT器件结构，包括：P型衬底上形成有集电区和浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于集电区两侧；其特征是：基区和外延介质层非对称的分布于所述集电区和浅沟槽隔离上方，所述基区与外延介质层相邻且部分基区位于所述外延介质层上方，所述基区与外延介质层两侧具有基区隔离侧墙；发射区和发射区介质层位于所述基区上方，所述发射区与发射区介质层相邻且部分发射区位于所述发射区介质层上方，所述发射区与发射区介质层两侧具有发射区隔离侧墙；所述基区、发射区和集电区分别通过接触孔引出连接金属连线。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||