半导体装置及其制造方法

摘要

提供一种半导体装置。根据一个实施方式，在半导体装置中，在N+基板设有第1槽。在第1槽，以覆盖第1槽的方式设有N层、N-层、P层及N+层。半导体装置具有第2及第3槽。在第2槽，以覆盖第2槽的方式设有P+层。在第3槽，以覆盖第3槽的方式设有沟槽栅。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第1槽，设于第1导电型的半导体基板；以覆盖上述第1槽的方式层叠形成的杂质浓度比上述半导体基板低的第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、以及杂质浓度比上述第1半导体层高的第1导电型的第3半导体层；第2槽，设于上述第3半导体层，并设置为，相对于上述半导体基板的面，在垂直方向上，至少一部分贯通上述第3半导体层而使上述第2半导体层露出，相对于上述半导体基板的面，在水平方向上，至少一部分贯通上述第3半导体层而使上述第2半导体层露出；第2导电型的第4半导体层，以覆盖上述第2槽的方式形成，且杂质浓度比上述第2半导体层高；第3槽，与上述第4半导体层之间及侧面隔开地配置形成，且设置为：相对于上述半导体基板的面，在垂直方向上，贯通上述第3半导体层而使上述第2半导体层露出，或者贯通上述第3半导体层及第2半导体层而使上述第1半导体层露出；相对于上述半导体基板的面，在水平方向上，贯通上述第2半导体层而一端使上述第1半导体层露出，或者贯通上述第2半导体层及第1半导体层而一端使上述半导体基板露出、另一端使上述第3半导体层露出；以及沟槽栅，以覆盖上述第3槽的方式形成，含有层叠形成的栅绝缘膜及栅电极膜。