| 发明名称 | 形成具有绝缘环形环的导电TSV的方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成具有绝缘环形环的导电TSV的方法和半导体器件。一种半导体晶片具有在晶片的有源表面上形成的绝缘层。在绝缘层上形成导电层。从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第一通孔。在第一通孔中沉积导电材料以形成导电TSV。可以在第一通孔中沉积绝缘材料以在导电通孔内形成绝缘芯。在形成导电TSV之后，在导电TSV周围从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第二通孔。在第二通孔中沉积绝缘材料以形成绝缘环形环。导电通孔可以凹陷在半导体管芯的表面内或延伸到其之上。 | ||
| 申请公布号 | CN102412197A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110283422.0 | 申请日期 | 2011.09.22 |
| 申请人 | 新科金朋有限公司 | 发明人 | R. A.佩盖拉;B. T.杜;N.苏蒂万森索恩 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;卢江 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体晶片；在半导体晶片的有源表面上形成绝缘层；在绝缘层上形成导电层；从与有源表面相对的半导体晶片的背表面、通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第一通孔；在第一通孔中沉积导电材料以形成导电穿硅通孔（TSV）；在形成导电TSV之后，在导电TSV周围从半导体晶片的背表面通过半导体晶片和绝缘层至导电层形成第二通孔；以及在第二通孔中沉积第一绝缘材料以形成绝缘环形环。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||