| 发明名称 | 多晶硅光学掩膜制绒工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多晶硅光学掩膜制绒工艺，其特征在于，对多晶硅硅片进行光学掩膜处理，再放入到氢氟酸、硝酸和缓冲剂的的混合液中进行制绒。它的效果在于：1、对所制绒的排列、密度、大小、深度等参数操控性强，可使多晶硅太阳电池绒面的组织结构非常合理；2、有利于磷扩散制结以及后续的丝网印刷烧结等工艺中参数的优化；3、反射率低，与现有工艺比较，反射率由22.5％降低至18.5％左右。 | ||
| 申请公布号 | CN102412338A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201110241813.6 | 申请日期 | 2011.08.23 |
| 申请人 | 江西瑞晶太阳能科技有限公司 | 发明人 | 贾积凯;孙杰;潘鹏飞 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种多晶硅光学掩膜制绒工艺，其特征在于，对多晶硅硅片进行光学掩膜处理，再放入到氢氟酸、硝酸和缓冲剂的的混合液中进行制绒。 | ||
| 地址 | 338019 江西省新余市渝水区下村工业基地大一路 | ||