| 发明名称 | 一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种绝缘体上半导体衬底的形成方法及其结构，包括以下步骤：A.提供第一半导体晶片，所述第一半导体晶片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对；B.刻蚀所述第一表面，以使第一半导体晶片形成至少两个平坦区，其中，每个所述平坦区具有均匀的厚度，所述平坦区总共包括至少两种所述厚度；C.在所述第一表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述平坦区并形成平坦化的表面；D.在所述第一绝缘层上键合第二半导体晶片。通过形成包括至少两种厚度的两个平坦区的绝缘体上半导体衬底，实现将PDSOI器件和FDSOI器件集成在同一芯片中，利于增强集成电路性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102412180A | 申请公布日期 | 2012.04.11 |
| 申请号 | CN201010291541.6 | 申请日期 | 2010.09.25 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 一种绝缘体上半导体衬底的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：A.提供第一半导体晶片，所述第一半导体晶片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对；B.刻蚀所述第一表面，以使第一半导体晶片形成至少两个平坦区，其中，每个所述平坦区具有均匀的厚度，所述平坦区总共包括至少两种所述厚度；C.在所述第一表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述平坦区并形成平坦化的表面；D.在所述第一绝缘层上键合第二半导体晶片。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||