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发明名称
Power semiconductor module
摘要
A power semiconductor module is disclosed. One embodiment includes a multilayer substrate having a plurality of metal layers and a plurality of ceramic layers, where the ceramic layers are located between the metal layers.
申请公布号
US8154114(B2)
申请公布日期
2012.04.10
申请号
US20070834395
申请日期
2007.08.06
申请人
BAYERER REINHOLD;INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
BAYERER REINHOLD
分类号
H01L23/12
主分类号
H01L23/12
代理机构
代理人
主权项
地址
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