发明名称 МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВАРИСТОРА ВЫСОКОЙ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЯ
摘要 1. Материал варистора для разрядника, служащего для защиты от перенапряжения, содержащий ZnO, образующий фазу ZnO, и Bi в виде Bi2O3, образующий межзеренную фазу оксида висмута, причем указанный материал варистора дополнительно включает шпинельную фазу, отличающийся тем, что количество пирохлорной фазы, включенной в материал варистора, таково, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,15:1. ! 2. Материал варистора по п.1, отличающийся тем, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,1:1. ! 3. Материал варистора по п.1, отличающийся целевой напряженностью переключающего поля в диапазоне от 250 до 400 В/мм. ! 4. Материал варистора по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что он включает смесь шпинельобразующих компонентов, включающих Mn, Co, Ni и Cr в виде на MnO2, CoO, NiO и Cr2O3 соответственно и необязательно Si в виде на SiO2, причем количество SiO2 составляет менее 0,05 мол.%. ! 5. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что ! количество Bi2O3 составляет по меньшей мере 0,3 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 0,6 мол.%, наиболее предпочтительно от 0,6 мол.% до 0,9 мол.%, ! количество Sb2O3 составляет менее 1,8 мол.%, ! молярное отношение Bi2O3 к Sb2O3 составляет по меньшей мере 0,5:1 и ! суммарное количество MnO2, CoO, NiO и Cr2O3 составляет по меньшей мере 2,5 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 3 мол.%. ! 6. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что ! количество Bi2O3 составляет менее 0,5 мол.%, ! причем молярное отношение Bi2O3 к Sb2O3 составляет менее 0,4:1, предпочтительно менее 0,3:1, наиболее предпочтительно менее 0,25:1, и ! суммарное количество MnO2, СоО, NiO и Cr2O3 составляет по меньшей мере 4 мол.%. ! 7. Материал варистора по п.1, в котором сме�
申请公布号 RU2010140145(A) 申请公布日期 2012.04.10
申请号 RU20100140145 申请日期 2010.09.30
申请人 АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ (CH) 发明人 ГРОЙТЕР Феликс (CH);ХАГЕМАЙСТЕР Михель (CH);БЕК Оливер (CH);ОСТЕРЛУНД Рагнар (SE);КЕССЛЕР Рето (CH)
分类号 H01C7/00 主分类号 H01C7/00
代理机构 代理人
主权项
地址