硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法

摘要

本发明公开了一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法，包括下述步骤：（1）设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间；（2）将待测试的抛光片或外延片放在测试台上，开始依次测试，并记录下每个区间的颗粒数据；（3）将颗粒数据进行分档，然后从颗粒多的档位开始分别对每个档位的最高值抽取一片腐蚀看缺陷，直至腐蚀到没有见缺陷的档位，记录这个档位数值为A；（4）抽测2-3片A档位的抛光片或外延片，确认未见层错及位错缺陷；（5）把A减10设定为分检层错及位错缺陷的标准；（6）检验其它的抛光片或外延片，高于标准的标为层错及位错缺陷不合格。此方法具有操作简单快速、对被测样本无损伤等优点。

主权项

一种硅抛光片或外延片层错及位错缺陷的无损检测方法，其特征在于包括下述步骤：（1）设定表面颗粒测试仪的颗粒直径测试区间；（2）将待测试的抛光片或外延片放在测试台上，开始依次测试，并记录下每个区间的颗粒数据；（3）将颗粒数据进行分档，然后从颗粒多的档位开始分别对每档位的最高值抽取一片腐蚀看缺陷，直至腐蚀到没有见缺陷的档，记录这个档位最高值为A；（4）抽测2‑3片A档位的抛光片或外延片，确认未见层错及位错缺陷；（5）把A减10设定为分检层错及位错缺陷的标准；（6）检验其它的抛光片或外延片，高于标准的抛光片或外延片标为层错及位错缺陷不合格。