| 发明名称 | 功率半导体芯片封装 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率半导体芯片封装。一种器件包括具有外延层和体半导体层的竖直功率半导体芯片。第一接触焊盘布置于功率半导体芯片的第一主要面上，而第二接触焊盘布置于功率半导体芯片的与第一主要面相对的第二主要面上。该器件还包括附着到第二接触焊盘的导电载体。 | ||
| 申请公布号 | CN102403279A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201110267260.1 | 申请日期 | 2011.09.09 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | R.奥特伦巴 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;王洪斌 |
| 主权项 | 一种器件，包括：竖直功率半导体芯片，具有外延层和体半导体层，第一接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的第一主要面上，第二接触焊盘，布置于所述功率半导体芯片的第二主要面上，所述第二主要面与所述第一主要面相对，以及导电载体，附着到所述第二接触焊盘，其中在所述导电载体与所述外延层之间的距离等于或者少于50μm。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 | ||