| 发明名称 | 金属氧化膜的成膜方法、金属氧化膜及金属氧化膜的成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种可以使形成的金属氧化膜维持在低电阻且进一步提高生产效率的金属氧化膜的成膜方法。而且，在本发明的金属氧化膜的成膜方法中，将含有金属元素和氨(4a)的溶液(4)雾化。另一方面，加热基板(2)。然后，向该加热中的基板(2)的第一主面上供给经雾化的溶液(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN102405305A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN200980158921.8 | 申请日期 | 2009.04.20 |
| 申请人 | 东芝三菱电机产业系统株式会社;国立大学法人京都大学 | 发明人 | 织田容征;白幡孝洋;吉田章男;藤田静雄;亀山直季 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 胡烨 |
| 主权项 | 一种金属氧化膜的成膜方法，其特征在于，包括：(A)使含金属元素和氨(4a)的溶液(4)雾化的工序；(B)加热基板(2)的工序；和(C)向所述工序(B)中的所述基板的第一主面上供给所述工序(A)中经雾化的所述溶液的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||