发明名称 多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法
摘要 本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序:在SiC粉末原料中添加烧结后残碳率小于5.0重量%的量的有机粘合剂进行混合;加入水,进行混炼、成型;在1500℃~2400℃烧结;在氧浓度为2%以上的氧气氛下,于1350℃~1650℃烧制1小时~6小时;通过喷镀法在所形成的SiO2层表面形成由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。所述材料在SiC基材表面形成了SiO2层,表观气孔率为15%以上,表观比重为3.05~3.20,SiC含量为90重量%以上,并且,所述SiO2层表面形成有由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。
申请公布号 CN101333113B 申请公布日期 2012.04.04
申请号 CN200810109699.X 申请日期 2008.06.27
申请人 科发伦材料株式会社 发明人 冈田裕;大屋锁登志
分类号 C04B35/565(2006.01)I;C04B41/89(2006.01)I;C23C4/00(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I;F27D3/12(2006.01)I 主分类号 C04B35/565(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;李建忠
主权项 一种多层陶瓷电容器烧制用材料,其具有SiC基材和在所述SiC基材表面形成的SiO2层,其特征在于,所述多层陶瓷电容器烧制用材料的表观气孔率为15%以上,表观比重为3.05~3.20,SiC含量为90重量%以上,并且,至少在载放作为被烧制物的多层陶瓷电容器的部分的SiO2层表面,形成有由ZrO2或Al2O3中的至少一种构成的覆盖层。
地址 日本东京