Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供Ⅲ族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供Ⅲ族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒；在每个第一导电Ⅲ族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。

主权项

一种制造III族氮化物纳米棒发光装置的方法，所述方法包括以下步骤：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过提供III族源气体和氮源气体在基底的被开口暴露的部分上生长第一导电III族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供III族源气体和杂质源气体并连续地提供氮源气体在第一导电III族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电III族氮化物纳米棒；在每个第一导电III族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。