| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括基底；鳍型态半导体层，设置在基底上；栅极介电层，设置在鳍型态半导体层的顶部和侧壁；金属氮化层，设置在栅极介电层上；以及掺杂铝的金属氮化层，设置在金属氮化层上，以防止金属氮化层氧化。在本发明一实施例中，金属氮化层是氮化钛层，且掺杂铝的金属氮化层是掺杂铝的氮化钛层。 | ||
| 申请公布号 | CN102403355A | 申请公布日期 | 2012.04.04 |
| 申请号 | CN201010559071.7 | 申请日期 | 2010.11.25 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 梁雯萍;苏国辉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：基底；鳍型态半导体层，设置于该基底上；栅极介电层，设置于该鳍型态半导体层的顶部和侧壁；金属氮化层，设置于该栅极介电层上；以及掺杂铝的金属氮化层，设置于该金属氮化层上，以防止所述金属氮化层氧化。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||