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Eine Projektionsbelichtungsanlage (10) für die Mikrolithographie zum Belichten eines zu strukturierenden Substrats (20) durch jeweilige Abbildung von Maskenstrukturen eines mindestens eine Schicht (39) aufweisenden Retikels (14) auf unterschiedliche Bereiche des Substrats (20) in mehreren Belichtungsschritten umfasst eine Messvorrichtung (40) zum Durchführen einer Topographiemessung an einer Oberfläche der Retikelschicht (14), sowie eine Steuervorrichtung (60), welche dazu konfiguriert ist, die Messvorrichtung (40) derart anzusteuern, dass während des zur Belichtung des Substrats benötigten Zeitraums die Topographie zumindest eines Oberflächenabschnitts der Retikelschicht (14) mehrfach gemessen wird.
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