Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben

摘要

Halbleitervorrichtung mit: einem ersten Isolierfilm (10), der über einem Halbleiterfilm gebildet ist; einem ersten Metallmuster (12a, 12b), das in dem ersten Isolierfilm vergraben ist; und einer ersten Kappenschicht (13), die auf dem ersten Metallmuster und dem ersten Isolierfilm gebildet ist und aus Zirkoniumnitrid oder einer Zirkoniumnitridverbindung hergestellt ist, wobei eine Filmdicke der ersten Kappenschicht (13) gleich oder geringer ist als 18,7 nm.