发明名称 存储器模块及其写入及读取方法
摘要 本发明公开了一种存储器模块写入方法,包括,首先,将一笔2m字节的数据暂存为p个字组,每一个字组包括q个位,其中m、p及q为正整数。接着,重排此笔2m字节的数据以得到K个符元,每一个符元具有m个位,其中K为正整数且K小于2m。然后,依据一Reed-Solomon(RS)码算法,将K个符元编码成一字码,字码包括N个符元,字码包括一同位码,同位码包括2T=N-K个符元,其中N及T为正整数。之后,将p个字组及同位码写入一存储单元阵列。其中,此些符元均属于一有限域体(finite field)GF(2m)。
申请公布号 CN101447234B 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN200810081271.9 申请日期 2008.02.26
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 黄世昌
分类号 G11C29/40(2006.01)I;H03M7/30(2006.01)I 主分类号 G11C29/40(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种存储器模块写入方法,其特征在于,该方法包括:将一笔2m字节的数据暂存为p个字组,每一个字组包括q个位,其中m、p及q为正整数;重排该笔2m字节的数据以得到K个符元,每一个符元具有m个位,其中K为正整数且K小于2m;依据一Reed‑Solomon码算法,将该K个符元编码成一字码,该字码包括N个符元,该字码包括一同位码,该同位码包括2T=N‑K个符元,其中N及T为正整数;以及将该p个字组及该同位码写入一存储单元阵列;其中,该些符元均属于一有限域体GF(2m)。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号