发明名称 一种表面等离子共振传感器
摘要 本发明公开了一种基于平面介质栅耦合的表面等离子共振传感器,包括平面介质栅,纳米厚度金属膜和玻璃基底,所述的平面介质栅的上表面与环境介质接触,环境中被探测物质的折射率改变导致入射波矢量的改变,导致平面正弦栅的衍射谱的改变;所述的平面介质栅的下表面与纳米厚度金属膜相连,平面介质栅引入的额外波矢量,能在界面处激发表面等离子共振效应。平面介质栅由光折变材料组成,其介电常数在空间上正弦分布;所述平面介质栅光栅矢量K可以倾斜。此传感器具有制备简单,由于每层都是平面结构易于光学集成,可以向低成本,集成化,阵列化发展,且工作稳定和灵敏度高的优点,在矿井安全,空气污染等领域提供了有效的研究手段。
申请公布号 CN102393380A 申请公布日期 2012.03.28
申请号 CN201110345251.X 申请日期 2011.11.04
申请人 华中科技大学 发明人 熊学辉;鲁平;刘德明
分类号 G01N21/41(2006.01)I 主分类号 G01N21/41(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 周发军
主权项 一种表面等离子共振传感器,包括纳米厚度金属膜和玻璃基底,其特征在于,还包括平面介质栅,所述的平面介质栅的上表面与环境介质接触,下表面与所述纳米厚度金属膜相连;所述平面介质栅的厚度为60nm‑200nm,可调度为0.05‑0.15,所述纳米厚度金属膜的厚度为50nm‑200nm。
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号