发明名称 |
激光加工方法 |
摘要 |
本发明涉及一种激光加工方法,向在表面侧上形成有多个电子器件的晶片状的加工对象的内部对准聚光点,并经过电子器件之间的区域照射激光,从而沿着经过电子器件之间并在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个,在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成第1熔融处理区域;并沿着经过电子器件之间并在与第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个,在距加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成第2熔融处理区域的工序;经由安装在加工对象物的背面侧的具有弹性的薄片向加工对象物施加应力,从而,以第1和第2熔融处理区域为切断的起点,沿着第1和第2切割预定线,对于每个电子器件将加工对象物分割为多个芯片的工序。 |
申请公布号 |
CN101110392B |
申请公布日期 |
2012.03.28 |
申请号 |
CN200710147746.5 |
申请日期 |
2001.09.13 |
申请人 |
浜松光子学株式会社 |
发明人 |
福世文嗣;福满宪志;内山直己;和久田敏光 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L21/301(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;C03B33/00(2006.01)I;C03B33/08(2006.01)I;C03B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种激光加工方法,其特征在于,包括如下工序:向加工对象物的内部对准聚光点照射激光,从而,在所述加工对象物中,沿着第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个,仅在所述加工对象物的内部形成第1熔融处理区域,并且,在所述加工对象物中,沿着与所述第1方向正交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个,仅在所述加工对象物的内部形成第2熔融处理区域的工序,所述加工对象物是硅晶片;从仅在所述加工对象物的内部形成的熔融处理区域起产生裂纹,并使该裂纹到达所述加工对象物的表面和背面,从而沿着切割预定线切割所述加工对象物并将其分割成硅芯片的工序。 |
地址 |
日本静冈县 |