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发明名称 Method of forming a gate electrode in a semiconductor devices
摘要
申请公布号 KR101128890(B1) 申请公布日期 2012.03.26
申请号 KR20030091648 申请日期 2003.12.15
申请人 发明人
分类号 H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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