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Verfahren zumda Herstellen von Gate-Elektroden mit dualer Austrittsarbeit einer CMOS-Halbleiterstruktur, bei dem ein Bor-Eindringen in den Kanalbereich und eine Bor-Abreicherung nahe des Gate-Oxids vermieden wird, mit den Schritten: a) Bilden einer Gate-Oxid-Schicht (10) über einem Kanal eines nMOS-Gebiets und über einem Kanal eines pMOS-Gebiets; b) Bilden einer undotierten Polysilizium-Schicht (11) über der Gate-Oxid-Schicht; c) Maskieren des pMOS-Gebiets, Bilden eines a-Si-Bereichs (12) über dem nMOS-Gebiet mittels eine ersten Implantation von Ge oder Si Ionen, und Implantieren von Arsen ausschließlich in den a-Si-Bereich; d) Maskieren des nMOS-Gebiets, welches durch Schritt c) gebildet wird, Bilden eines weiteren a-Si-Bereichs (12) über dem pMOS-Gebiet mittels einer zweiten Implantation von Ge oder Si Ionen und Implantieren von Bor ausschließlich in den weiteren a-Si-Bereich; e) Laserglühen des nMOS- und pMOS-Gebiets für eine ausreichende Zeitperiode und bei einem Energiepegel, welcher ausreichend zum Schmelzen zumindest eines Abschnitts des a-Si, jedoch nicht ausreichend zum Schmelzen...
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