发明名称 Halbleitervorrichtung
摘要 <p>Die Erfindung schafft eine Halbleitervorrichtung, bei der der Nutzer mit niedrigen Kosten eine gewünschte Schaltung (Heruntertransformationsschaltung (oder Herauftransformations/Heruntertransformations-Schaltung) und Herauftransformationsschaltung) auswählen kann. Eine Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der Erfindung enthält ein Diodenelement (10) und ein Schaltelement (IGBT) (20). Ein Anodenanschluss (T2) des Diodenelements (10) und ei (20) sind in einer vorgegebenen Entfernung voneinander benachbart angeordnet. Außerdem sind ein Katodenanschluss (T4) des Diodenelements (10) und der andere Hauptelektrodenanschluss (T3) des Schaltelements (20) in einer anderen vorgegebenen Entfernung voneinander benachbart angeordnet.</p>
申请公布号 DE102011081426(A1) 申请公布日期 2012.03.22
申请号 DE20111081426 申请日期 2011.08.23
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP. 发明人 MATSUOKA, TORU
分类号 H01L25/18;H01L29/768;H01L29/78;H01L29/861;H02M1/00 主分类号 H01L25/18
代理机构 代理人
主权项
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