生产自支撑III-N层和自支撑III-N基底的方法

摘要

一种生产自支撑III-N层的方法，其中III表示至少一种元素周期表第III族的元素，选自Al、Ga和In，该方法包括：在Li(Al，Ga)Ox基底上通过分子束外延沉积至少一层第一III-N层，其中1≤x≤3。通过氢化物气相外延在第一III-N层上沉积厚的第二III-N层。在以这种方式生产的结构的冷却过程中，Li(Al，Ga)Ox基底完全或大部分从III-N层上剥落，或如果需要可以通过使用刻蚀液如王水除去残留物。提供了基本不含无控杂质且具有有利性质的自支撑III-N基底。

主权项

一种生产III‑N层的方法，其中III代表至少一种元素周期表第III族的元素，选自Al、Ga和In，该方法包括步骤：a)在Li(Al，Ga)Ox基底上在第一温度下沉积第一III‑N层，其中1≤x≤3；和b)在第一III‑N层上在第二温度下沉积第二III‑N层，其中选择第一和第二温度使得第一温度比第二温度低至少200K，其中在生产该III‑N层的方法中不使用金属有机气相外延，使得该III‑N层基本上不含与金属有机气相外延相关的不可控杂质。