| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括源极金属化物、与源极金属化物接触的第一导电类型的源极区、相邻于源极区的第二导电类型的体区。该半导体器件进一步包括包含具有第一绝缘栅电极的第一场效应结构和包含与源极金属化物电连接的第二绝缘栅电极的第二场效应结构。第二绝缘栅电极和体区之间的每单位面积电容大于第一绝缘栅电极和体区之间的每单位面积电容。 | ||
| 申请公布号 | CN101719495B | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN200910253023.2 | 申请日期 | 2009.09.30 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | O·黑伯伦;J·克伦里;F·赫勒;W·里格;M·波尔兹尔 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;李家麟 |
| 主权项 | 一种半导体器件(100)，包括：半导体本体，该半导体本体包括：第一表面(30)、第一导电类型的第一半导体区(80)和第二导电类型的第二半导体区(50)，第一半导体区(80)和第二半导体区(50)形成pn结；设置在第一表面(30)上的源极金属化物(60)；和从第一表面(30)延伸进入半导体本体中的沟槽(20)，该沟槽(20)在平行于第一表面(30)的水平面中包括第一沟槽部(201)和第二沟槽部(202)；第一沟槽部(201)包括连接到源极金属化物(60)的栅电极(211)和将栅电极(211)与第二半导体区(50)绝缘的绝缘层(22)；第二沟槽部(202)包括与源极金属化物(60)和第二半导体区(50)连接的导电插塞(212)。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||