发明名称 |
形成抗蚀图案的方法、半导体器件及其生产方法 |
摘要 |
本发明的目的是提供一种形成抗蚀图案的方法,其中ArF准分子激光可用作图案化的曝光光源,抗蚀图案可不依赖于抗蚀图案尺寸稳定地增厚到预定厚度,且微小空间图案的精细度可超过曝光设备的曝光或分辨率的极限。本发明的形成抗蚀图案的方法至少包括:形成抗蚀图案,涂覆抗蚀图案增厚材料以覆盖该抗蚀图案的表面,焙烘该抗蚀图案增厚材料,显影和分离该抗蚀图案增厚材料,其中涂覆、焙烘和显影步骤中的至少一个步骤被执行多次。 |
申请公布号 |
CN101226335B |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
申请号 |
CN200710002394.4 |
申请日期 |
2007.01.15 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
小泽美和;野崎耕司 |
分类号 |
G03F7/16(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/16(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
吴小瑛 |
主权项 |
1.一种形成增厚的抗蚀图案的方法,至少包括:形成抗蚀图案,涂覆抗蚀图案增厚材料以覆盖所述抗蚀图案的表面,所述抗蚀图案增厚材料包括至少一种树脂和由如下所示通式(1)表示的化合物,焙烘所述抗蚀图案增厚材料,和显影并分离所述抗蚀图案增厚材料,其中涂覆、焙烘和显影步骤中的至少一个步骤被执行多次;<img file="FSB00000685169600011.GIF" wi="425" he="272" />通式(1)通式(1)中,“X”表示由下列结构式(1)表示的官能团;“Y”表示羟基、氨基、烷基取代的氨基、烷氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一种,其中的取代数为0至3的整数;“m”表示1以上的整数,“n”表示0以上的整数;<img file="FSB00000685169600012.GIF" wi="221" he="212" />结构式(1)结构式(1)中,“R<sup>1</sup>”和“R<sup>2</sup>”各自表示氢原子;“Z”表示羟基和烷氧基中的至少一种。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |