一种电解铜箔的反面处理工艺

摘要

本发明涉及一种VLP(甚低轮廓铜箔)电解铜箔的反面处理技术，属于高精电解铜箔生产工艺技术领域。一种电解铜箔的反面处理工艺，其特征在于采用12-18μm温高延伸率(THE)超低轮廓(VLP)电解铜箔做阴极，并以20±0.1m/min的速度运行，在铜箔的光滑面进行瘤状分形电沉积铜合金；再电沉积一层钠米级的锌合金；再经过碱性铬酸盐钝化处理并涂敷一层偶联剂。本发明的铜箔不含有砷、锑、铅、汞、镉等对人体有害的元素；具有优异的常温、高温抗氧化性；具有优异的耐腐蚀性和蚀刻性；具有良好的抗剥离性能和抗高温转化性能；具有优异的抗镀层扩散性能；可替代同类型进口铜箔用于FCCL、HDI内层和其他微细电路，填补了我国这一技术领域空白。

主权项

一种电解铜箔的反面处理工艺，采用12‑18μm高温高延伸率超低轮廓电解铜箔做阴极，并以20±0.1m/min的速度运行，在铜箔的光滑面进行瘤状分形电沉积铜合金；再电沉积一层纳米级的锌合金；再经过碱性铬酸盐钝化处理并涂敷一层偶联剂；其特征在于具体处理工艺如下1)、粗化：将电解阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，制成硫酸铜溶液，加入添加剂S，混合均匀后用泵打入粗化槽进行电镀；其中，Cu2+10‑30g/L，H2SO480‑200g/L，Cl‑20‑100ppm，添加剂S 5‑100ppm，温度为25‑50℃，电流密度为20‑35A/dm2；添加剂S是选自于Fe、Ni、Co、Mo、W、In、N、P、Se、Ge、Sn、Bi的化合物中的一种或两种；2)、固化：将电解阴极铜、浓硫酸、软水、蒸汽混合溶解，制成硫酸铜溶液，用泵将溶液打入固化槽进行电镀；其中，Cu2+50‑100g/L，H2SO480‑200g/L，温度为35‑55℃，电流密度为20‑35A/dm2；3)、镀锌：将焦磷酸钾、硫酸锌分别溶解，将硫酸锌缓慢加入焦磷酸钾中并不断搅拌，制成焦磷酸锌溶液，再加入添加剂D，混合均匀后用泵打入镀锌合金槽进行电镀；其中，K4P2O7140‑300g/L，Zn2+2‑7g/L，添加剂D 60‑150ppm，pH 8‑11，温度为25‑50℃，电流密度为0.50‑1.0A/dm2，添加剂D选自Mo、In、Co、Ni、Al、Cu、Fe、Sn化合物中的一种或两种；4)、钝化：将铬酸盐溶于软水中，混合均匀后用泵打入钝化槽中进行电镀；其中，铬酸盐2‑10g/L，pH 8‑12，温度为25‑50℃，电流密度为2.0‑8.0A/dm2；所述的铬酸盐是指铬酸钠或铬酸钾；5)、喷涂偶联剂：将硅烷偶联剂溶于水中，使用循环泵将溶液喷涂于铜箔表面；所述硅烷偶联剂选自于氨基、乙烯基、硫基、环氧基中的一种，体积百分比浓度为0.1‑2％，温度15‑40℃。