| 发明名称 | 半导体器件、其制造方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件、其制造方法和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括：第一半导体芯片；和第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上，其中所述第一半导体芯片包括第一布线部，所述第一布线部的侧面暴露在所述第一半导体芯片的侧端部处，其中，所述第二半导体芯片包括第二布线部，所述第二布线部的侧面暴露在所述第二半导体芯片的侧端部处，且其中所述第一布线部和所述第二布线部的分别暴露在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的所述侧端部处的所述侧面被导电层覆盖，所述第一布线部与所述第二布线部通过所述导电层彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。 | ||
| 申请公布号 | CN102386196A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201110248341.7 | 申请日期 | 2011.08.26 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 吉原郁夫;梅林拓;高桥洋;吉田博信 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L27/148(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 武玉琴;陈桂香 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其包括：第一半导体芯片；和第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上，其中，所述第一半导体芯片包括第一布线部，所述第一布线部的侧面暴露在所述第一半导体芯片的侧端部处，所述第二半导体芯片包括第二布线部，所述第二布线部的侧面暴露在所述第二半导体芯片的侧端部处，且所述第一布线部和所述第二布线部的暴露在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的所述侧端部处的各个所述侧面被导电层覆盖，所述第一布线部与所述第二布线部通过所述导电层彼此电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||