| 发明名称 | 一种具有大机电耦合系数和低插入损耗的声表面波滤波器及其专用压电薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有大机电耦合系数和低插入损耗的声表面波滤波器及其专用压电薄膜。所述压电薄膜为掺杂V、Cr和Fe中任一种的ZnO压电薄膜。本发明提供的声表面波滤波器包括衬底、沉积于所述衬底上的所述压电薄膜和设于所述ZnO压电薄膜上的输入叉指换能器与输出叉指换能器；所述压电薄膜为掺杂V、Cr和Fe中任一种的ZnO压电薄膜。通过采用具有高声表面波速度的材料作为衬底，在其上沉积ZnO薄膜，通过电子束直写工艺制备亚微米的叉指换能器，可以制备频率高达4GHz以上的高频薄膜声表面波滤波器。 | ||
| 申请公布号 | CN102386885A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201110166512.1 | 申请日期 | 2011.06.20 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 潘峰;罗景庭;陈超;曾飞 |
| 分类号 | H03H9/64(2006.01)I;H01L41/16(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/64(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种压电薄膜，其特征在于：所述压电薄膜为掺杂V、Cr和Fe中任一种的ZnO压电薄膜。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 | ||