显示装置、半导体装置

摘要

本发明的目的在于提供一种开口率高的显示装置或元件面积大的半导体装置。本发明的技术要点如下：在形成在相邻的像素电极(或元件的电极)之间的布线下方形成具有多栅结构的TFT的沟道形成区域。另外，将多个沟道形成区域的沟道宽度的方向设定为与在所述像素电极形状中的长边方向平行。另外，通过使沟道宽度的长度大于沟道长度的长度，来扩大沟道形成区域的面积。

主权项

一种半导体装置，包括：设在相邻的电极之间的布线、驱动薄膜晶体管、以及与所述驱动薄膜晶体管连接的开关薄膜晶体管，其中，所述驱动薄膜晶体管的沟道形成区域设在所述布线的下方，所述沟道形成区域设在与所述布线重叠的位置，所述沟道形成区域的沟道宽度方向与电流流过所述布线的方向平行，并且所述驱动薄膜晶体管和所述开关薄膜晶体管都设在所述布线的下方。