发明名称 发光元件
摘要 本发明公开了发光元件,包括:第一导电型半导体层;发光功能层,在第一导电型半导体层上形成;第二导电型半导体层,在发光功能层上形成;第一导电型电极,其与第一导电型半导体层的露出部导通;第二导电型电极,其与第二导电型半导体层导通;绝缘层,其位于在其一部分上的发光功能层、第二导电型半导体层和第二导电型电极及在其另一部分上的第一导电型电极之间;以及附加绝缘层,被附加至绝缘层以形成在与由第二导电型半导体层、发光功能层以及第一导电型半导体层所构成的二极管相反的方向上具有整流作用的虚拟二极管。
申请公布号 CN101794804B 申请公布日期 2012.03.21
申请号 CN201010001074.9 申请日期 2010.01.21
申请人 索尼公司 发明人 青柳秀和
分类号 H01L27/15(2006.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 吴孟秋;梁韬
主权项 一种发光元件,包括:第一导电型半导体层;发光功能层,以露出部分所述第一导电型半导体层的方式形成在所述第一导电型半导体层上;第二导电型半导体层,形成在所述发光功能层上;第一导电型电极,其与所述第一导电型半导体层的露出部分导通;第二导电型电极,其与所述第二导电型半导体层导通;绝缘层,位于在其一部分上的所述发光功能层、所述第二导电型半导体层和所述第二导电型电极与在其另一部分上的所述第一导电型电极之间,以保持它们之间的绝缘;以及导电型半导体绝缘层,被附加至所述绝缘层,以形成在由所述第二导电型半导体层、所述发光功能层以及所述第一导电型半导体层所构成的二极管的相反方向上具有整流作用的虚拟二极管。
地址 日本东京