半导体集成电路

摘要

本发明提供半导体集成电路，其包括：多个标准单元，包括具有栅极电极的晶体管，并且彼此组合布置；金属配线层，互连标准单元以形成所希望的电路；以及多个储备单元，具有栅极电极，与该金属配线层不连接，并且设置在标准单元的周边上，其中标准单元和储备单元的每个栅极电极都具有栅极焊盘部分和两个栅极手指部分，两个栅极手指部分从栅极焊盘部分延伸到在预定的方向上彼此相对的侧，并且储备单元的栅极焊盘部分在垂直于所述预定方向的方向上的长度等于或大于该金属配线层中最小线宽的三倍与最小间隔距离的两倍的总和值。

主权项

一种半导体集成电路，包括：多个标准单元，包括具有栅极电极的晶体管，并且彼此组合布置；金属配线层，互连所述多个标准单元，以形成所希望的电路；以及多个储备单元，具有栅极电极，所述多个储备单元与所述金属配线层不连接，并且设置在所述多个标准单元的周边，其中，所述多个标准单元和所述多个储备单元的每个栅极电极都具有栅极焊盘部分和两个栅极手指部分，所述两个栅极手指部分从所述栅极焊盘部分延伸到在预定方向上彼此相对的侧，并且所述多个储备单元的所述栅极焊盘部分在垂直于所述预定方向的方向上的长度等于或大于所述金属配线层中最小线宽的三倍与最小间隔距离的两倍的总和值。