半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，本发明提供的一种采用裸片边缘接点的半导体元件。集成电路裸片具有沟槽的后保护层，而沟槽填有导电材料且自接点延伸至裸片边缘以形成裸片边缘接点。沿着裸片边缘，可视情况形成穿透基板通孔。这将使沟槽中的导电材料电性耦合至穿透基板通孔，以形成较大的裸片边缘接点。上述集成电路裸片可置于多重裸片封装中，且多重裸片封装的墙状物的主要表面垂直于集成电路裸片的主要表面。裸片边缘接点可电性连接至多重裸片封装的墙状物上的接点。多重裸片封装可含有边缘接点以连接至另一基板如印刷电路板、封装基板、高密度内连线、或类似物。本发明提供3D IC封装更方便的测试接点与对抗热应力造成的集成电路龟裂。

主权项

一种半导体结构，包括：一集成电路基板，具有一接触焊盘形成其上；一保护层形成于该集成电路基板上，该保护层至少露出部分的该接触焊盘，且该保护层具有一沟槽自该接触焊盘延伸至该集成电路基板的边缘；以及一导电材料填入该保护层的该沟槽以形成一裸片边缘接点。