相变材料的制备方法

摘要

一种相变材料的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述Si-SbxTe1-x复合材料的结晶温度之上，对所述Si-SbxTe1-x执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和SbxTe1-x晶体形成分相；将退火后分相的非晶Si与SbxTe1-x的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料；对所述微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。相较于现有技术，本发明制备的是微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，微晶态的Si晶粒尺寸在3纳米至20纳米左右，缺陷比非晶态Si少，能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。

主权项

一种相变材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si‑SbxTe1‑x材料层，其中0.1≤x≤0.9；在所述非晶Si‑SbxTe1‑x复合材料的结晶温度之上，对所述Si‑SbxTe1‑x层执行第一次退火工艺，使得其中的非晶Si和SbxTe1‑x晶体形成分相；将退火后分相的非晶Si与SbxTe1‑x晶体的复合材料置于氢气氛中执行第二次退火工艺，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si‑SbxTe1‑x复合相变材料；对所述微晶Si‑SbxTe1‑x复合相变材料执行加热退火脱氢工艺。