等离子体处理装置以及半导体衬底的等离子体处理方法

摘要

等离子体处理装置11包括：天线部13，其将微波作为等离子体源，并且生成等离子体以在腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域25a和等离子体的电子温度比第一区域25a低的第二区域25b；第一配置单元，其使半导体衬底W位于第一区域25a内；第二配置单元，其使半导体衬底W位于第二区域25b内；以及停止等离子体生成单元，其在使半导体衬底W位于第二区域25b的状态下，使得由等离子体生成单元进行的等离子体的生成停止。

主权项

一种等离子体处理装置，所述等离子体处理装置用于对配置在腔室内的半导体衬底进行等离子体处理，所述等离子体处理装置包括：等离子体生成单元，其将微波作为等离子体源，并且所述等离子体生成单元生成等离子体以在所述腔室内形成等离子体的电子温度相对高的第一区域和等离子体的电子温度比所述第一区域低的第二区域；第一配置单元，其使所述半导体衬底位于所述第一区域内；第二配置单元，其使所述半导体衬底位于所述第二区域内；以及停止等离子体生成单元，其在使所述半导体衬底位于所述第二区域的状态下，使得由所述等离子体生成单元进行的所述等离子体的生成停止。