| 发明名称 |
NORMALLY OFF III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PROGRAMMABLE GATE |
| 摘要 |
<p>A III-nitride semiconductor device which includes a charged gate insulation body.</p> |
| 申请公布号 |
KR101127904(B1) |
申请公布日期 |
2012.03.21 |
| 申请号 |
KR20087001980 |
申请日期 |
2006.07.31 |
| 申请人 |
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发明人 |
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| 分类号 |
H01L21/82;H01L21/336;H01L21/8252 |
主分类号 |
H01L21/82 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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