改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法

摘要

本发明提供一种改善MOS器件载流子迁移率的方法以及MOS器件制造方法。方法包括：栅极氧化层形成步骤，用于在衬底的器件区域上形成栅极氧化层；氮化步骤，用于对器件结构执行分耦式等离子体氮化；通过调节分耦式等离子体氮化工艺的时间和/或功率，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2-Si衬底界面；氮化后退火步骤，用于在氮化步骤之后执行氮化后退火；其中通过控制氮化后退火的时间和/或温度，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2-Si衬底界面；栅极形成步骤，用于形成PMOS器件的栅极以及NMOS器件的栅极；以及氮元素注入步骤，用于利用掩膜掩盖将要制成PMOS器件的区域，并暴露将要制成NMOS器件的区域，并且在布置了掩膜之后，执行氮元素注入。

主权项

一种改善MOS器件载流子迁移率的方法，其特征在于，包括：栅极氧化层形成步骤，用于在衬底的器件区域上形成栅极氧化层，所述器件区域包括将要制成PMOS器件的区域以及将要制成NMOS器件的区域；氮化步骤，用于对器件结构执行分耦式等离子体氮化；其中，通过调节分耦式等离子体氮化工艺的时间和/或功率，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2‑Si衬底界面；氮化后退火步骤，用于在所述氮化步骤之后执行氮化后退火；其中通过控制氮化后退火的时间和/或温度，使得氮在栅氧中的分布远离SiO2‑Si衬底界面；栅极形成步骤，用于形成PMOS器件的栅极以及NMOS器件的栅极；以及氮元素注入步骤，用于利用掩膜掩盖将要制成PMOS器件的区域，并暴露将要制成NMOS器件的区域，并且在布置了所述掩膜之后，执行氮元素注入。