| 发明名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件结构，包括：多个相同柱状的第一外延层，该第一外延层以预定间距分布在硅衬底的表面上；多个第二外延层，每个第二外延层形成于位于两个相临的所述第一外延层之间的沟槽中；多个第三外延层，分别形成于所述第二外延层上。本发明还公开了一种所述半导体器件结构的制作方法。本发明能够提高沟槽内外延层的载流子总量在纵向上分布上的均匀性，优化电荷平衡能力，提高器件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102386212A | 申请公布日期 | 2012.03.21 |
| 申请号 | CN201010270100.8 | 申请日期 | 2010.08.31 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘继全 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种半导体器件结构，包括：多个相同柱状的第一外延层，该第一外延层以预定间距分布在硅衬底的表面上；多个第二外延层，每个第二外延层形成于位于两个相临的所述第一外延层之间的沟槽中；其特征在于：还包括多个第三外延层，分别形成于所述第二外延层上。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||