| 摘要 |
Способ изготовления транзисторов, включающий формирование пленки оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, легирование области охранного кольца, вскрытие в пленке оксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности подложки пленки термического оксида кремния, вскрытие в ней эмиттерных окон, легирование базовой области путем ионного внедрения примеси в кремниевую подложку через пленку термического оксида и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси, легирование эмиттерных областей, диффузионный отжиг эмиттерной примеси, вскрытие контактных окон и создание разводки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения количества технологических операций, а также улучшения электрических характеристик и надежности транзисторов, пленку оксида кремния на поверхности кремниевой подложки формируют путем термического окисления подложки с последующим наращиванием пиролитического оксида кремния, вскрытие в ней окна под базовую область и выращивание на вскрытой поверхности пленки термического оксида кремния проводят перед легированием области охранного кольца, область охранного кольца легируют путем ионного внедрения примеси через пленку термического оксида кремния по маске фоторезиста с окнами под охранную область, а легирование эмиттерных областей проводят путем ионного внедрения примеси в эмиттерные окна пленки термического оксида кремния, причем диффузионный отжиг базовой и эмиттерной примесей проводят в нейтральной среде. |
