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发明名称 Nonvolatile memory device having high charging capacitance and method of fabricating the same
摘要
申请公布号 KR101124562(B1) 申请公布日期 2012.03.16
申请号 KR20050046311 申请日期 2005.05.31
申请人 发明人
分类号 H01L21/8247 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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